Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
1.2kV
Série
SiC MOSFET
Type de Boitier
H2PAK-2
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
4.7mm
Hauteur
10.4mm
Longueur
15.8mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Le matériau SiC offre des propriétés thermiques remarquables.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,14
€ 10,14 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 10,14
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 10,14 |
| 10 - 499 | € 9,85 |
| 500 - 999 | € 9,73 |
| 1000+ | € 9,61 |
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Type de canal
N
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20A
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1.2kV
Série
SiC MOSFET
Type de Boitier
H2PAK-2
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
4.7mm
Hauteur
10.4mm
Longueur
15.8mm
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