Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
SiC MOSFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.8mm
Hauteur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Le matériau SiC offre des propriétés thermiques remarquables.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,13
€ 10,13 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 10,13
€ 10,13 Each (hors TVA)
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 10,13 |
| 10 - 499 | € 9,84 |
| 500 - 999 | € 9,72 |
| 1000+ | € 9,61 |
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H2PAK-2
Série
SiC MOSFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
203mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.8mm
Hauteur
10.4mm
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No
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