Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
100mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
270W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
105nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-10, +25V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension directe Vf
3.5V
Température d'utilisation maximum
200°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 16,67
€ 16,67 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 16,67
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 16,67 |
| 10+ | € 16,45 |
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N
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45A
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1200V
Type de Boitier
Hip-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
100mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
270W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
105nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-10, +25V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension directe Vf
3.5V
Température d'utilisation maximum
200°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
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Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
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