Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
100mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
270W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
105nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-10, +25V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension directe Vf
3.5V
Température d'utilisation maximum
200°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 83,33
€ 16,45 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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N
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Hip-247
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Mode de canal
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Dissipation de puissance maximum Pd
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105nC
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-10, +25V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension directe Vf
3.5V
Température d'utilisation maximum
200°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
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Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
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