Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
Hip-247
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
100mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
105nC
Maximum Power Dissipation Pd
270W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
3.5V
Maximum Operating Temperature
200°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 83,28
€ 16,45 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
105nC
Maximum Power Dissipation Pd
270W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
3.5V
Maximum Operating Temperature
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Length
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Height
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Standards/Approvals
No
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No
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Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
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