Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
65A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.59Ω
Mode de canal
Épuisement
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
122nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Dissipation de puissance maximum Pd
318W
Tension directe Vf
3.5V
Température d'utilisation maximum
200°C
Hauteur
34.95mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Cela entraîne une résistance à l'état passant inégalée par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 866,77
€ 28,892 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension directe Vf
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Hauteur
34.95mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
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Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Cela entraîne une résistance à l'état passant inégalée par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température.
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