Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Modules MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
33A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-7
Série
SCT
Type de montage
En surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
0.105Ω
Mode de canal
Épuisement
Détails du produit
Le MOSFET de puissance en carbure de silicium de qualité automobile de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 2e génération de ST. Le dispositif est doté d'une résistance d'activation remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Standard
1
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N
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