Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Modules MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
33A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
H2PAK-7
Série
SCT
Type de montage
En surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
0.105Ω
Mode de canal
Épuisement
Détails du produit
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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