MOSFET STMicroelectronics canal Type N, H2PAK 116 A Enrichissement 650 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
116A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Séries
SCTH90
Type de Boitier
H2PAK
Type de montage
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
24mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
157nC
Dissipation de puissance maximum Pd
484W
Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température de fonctionnement maximum
175°C
Hauteur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.8 mm
Longueur
15.25mm
Standard automobile
No
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€ 23 354,84
€ 23,355 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
157nC
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
22 V
Température de fonctionnement maximum
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