Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
116A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
H2PAK
Série
SCTH90
Type de support
En surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
24mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
484W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
157nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
22V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
10.4mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.8mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics 650 V est doté d'une intensité nominale de 116 A et d'une résistance de drain à source de 18 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance à l'état passant par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 23 052,73
€ 23,053 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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H2PAK
Série
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En surface
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
157nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
22V
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175°C
Hauteur
10.4mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.8mm
Standard automobile
No
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Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics 650 V est doté d'une intensité nominale de 116 A et d'une résistance de drain à source de 18 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance à l'état passant par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
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