Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
SCTL35N65G2V
Type de montage
En surface
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
67mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
417W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
22V
Tension directe Vf
3.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
0.95mm
Longueur
8.1mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
8.1mm
Standard automobile
No
Détails du produit
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 38 270,75
€ 12,757 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Série
SCTL35N65G2V
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En surface
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
67mΩ
Mode de canal
Enhancement
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417W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
22V
Tension directe Vf
3.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
0.95mm
Longueur
8.1mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
8.1mm
Standard automobile
No
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The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
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