MOSFET N STMicroelectronics 40 A 650 V Enrichissement, 4 broches, PowerFLAT SCTL35N65G2V

Brand

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

PowerFLAT

Série

SCTL35N65G2V

Type de support

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

67mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

73nC

Dissipation de puissance maximum Pd

417W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

3.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

8.1mm

Hauteur

0.95mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No