Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
SCTL35N65G2V
Type de support
En surface
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
67mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
Dissipation de puissance maximum Pd
417W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
3.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
8.1mm
Hauteur
0.95mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 38 270,75
€ 12,757 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
73nC
Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
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Longueur
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Hauteur
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UPC
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