Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
36A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCTW40N
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
700mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
278W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
22V
Tension directe Vf
3.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SIC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 412,84
€ 13,761 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Mode de canal
Enhancement
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Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension maximale de source de la grille Vgs
22V
Tension directe Vf
3.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
5.15mm
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No
Détails du produit
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SIC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
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