Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
73mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
389W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
94nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
18V
Tension directe Vf
3V
Température d'utilisation maximum
200°C
Hauteur
5mm
Longueur
34.8mm
Normes/homologations
UL, ECOLAB
Largeur
15.6mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction. Il peut être utilisé dans l'alimentation à découpage, les convertisseurs c.c.-c.c. et la commande de moteur industrielle.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 682,80
€ 22,76 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 682,80
€ 22,76 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
73mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
389W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
94nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
18V
Tension directe Vf
3V
Température d'utilisation maximum
200°C
Hauteur
5mm
Longueur
34.8mm
Normes/homologations
UL, ECOLAB
Largeur
15.6mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction. Il peut être utilisé dans l'alimentation à découpage, les convertisseurs c.c.-c.c. et la commande de moteur industrielle.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
