Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Modules MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Série
SCT
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.09Ω
Mode de canal
Épuisement
Détails du produit
Le MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés avancées et novatrices des matériaux à large bande passante. Cela se traduit par une résistance d'activation inégalée par unité de surface et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température.
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Standard
1
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