MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 6 A 1200 V Mode d'amélioration, 3 broches, H2PAK-2 MDmesh K5 AEC-Q101

Brand

Type de produit

Power MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

H2PAK-2

Série

MDmesh K5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.65Ω

Mode de canal

Enhancement Mode

Dissipation de puissance maximum Pd

165W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

85°C

Longueur

10.98mm

Hauteur

15.55mm

Normes/homologations

RoHS, ECOLAB

Largeur

10.98mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

China