Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Power MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
6A
Tension Drain Source maximum Vds
1.2kV
Série
MDmesh K5
Type de Boitier
H2PAK-2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.65Ω
Mode de canal
Mode d'amélioration
Dissipation de puissance maximum Pd
165W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
30V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.98mm
Taille
15.55mm
Largeur
10.98mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics offre des performances haute tension fiables pour les applications exigeantes, garantissant une efficacité et une densité de puissance optimales dans les environnements automobiles.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 070,98
€ 3,071 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 3 070,98
€ 3,071 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
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1000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 3000 | € 3,071 | € 3 070,98 |
| 4000+ | € 3,059 | € 3 058,98 |
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Power MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
6A
Tension Drain Source maximum Vds
1.2kV
Série
MDmesh K5
Type de Boitier
H2PAK-2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.65Ω
Mode de canal
Mode d'amélioration
Dissipation de puissance maximum Pd
165W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
30V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.98mm
Taille
15.55mm
Largeur
10.98mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
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