MOSFET N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET H7
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET H7
Type de support
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enhancement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Maximální provozní teplota
85°C
Höhe
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 62,84
€ 2,513 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 62,84
€ 2,513 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 2,513 | € 12,57 |
| 50 - 120 | € 2,262 | € 11,31 |
| 125 - 245 | € 2,035 | € 10,18 |
| 250+ | € 1,931 | € 9,66 |
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Série
STripFET H7
Type de support
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Maximální provozní teplota
85°C
Höhe
4.6mm
Longueur
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No
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No
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