Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 13,28
€ 2,657 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 13,28
€ 2,657 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,657 | € 13,28 |
| 50 - 120 | € 2,387 | € 11,94 |
| 125+ | € 1,958 | € 9,79 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit