MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 80 A Enrichissement 100 V, 3 broches STB100N10F7

N° de stock RS: 792-5697PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB100N10F7
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET H7

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

61nC

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

9.35 mm

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 70,24

€ 2,81 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
25 - 45€ 2,81€ 14,05
50 - 120€ 2,528€ 12,64
125 - 245€ 2,276€ 11,38
250+€ 2,159€ 10,79

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Série

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Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

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20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

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Tension directe Vf

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Température d'utilisation maximum

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Largeur

9.35 mm

Hauteur

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Longueur

10.4mm

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No

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