Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
100A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET F7
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5.6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.6nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,36
€ 1,414 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
10
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10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,414 | € 7,07 |
| 250 - 495 | € 1,075 | € 5,38 |
| 500+ | € 0,954 | € 4,77 |
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Type de canal
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TO-263
Série
STripFET F7
Type de support
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Résistance Drain Source maximum Rds
5.6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.6nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
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