MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II AEC-Q101

Brand

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET II

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

110nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20, +20V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

9.35mm

Standard automobile

AEC-Q101