MOSFET de puissance MDmesh canal N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STB11NM80

Ces transistors MOSFET de puissance à canal N sont développés à l'aide de la technologie MDmesh TM révolutionnaire de STMicroelectronics, qui associe le processus de drain multiple à la disposition horizontale PowerMESH TM de l'entreprise. Ces dispositifs offrent une très faible résistance à l'état passant, une haute dv/dt et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Utilisant la technique de bande propriétaire de ST, ces transistors MOSFET de puissance offrent une performance dynamique globale supérieure aux produits similaires sur le marché.

• Faible capacité d'entrée et charge de grille
• Faible résistance d'entrée de grille
• Meilleur RDS(on)Qg dans l'industrie
• Applications
• Applications de commutation