MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 120 A Enrichissement 100 V, 3 broches STB120NF10T4
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
10.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
172nC
Tension directe Vf
1.3V
Température de fonctionnement maximum
175°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,09
€ 4,045 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
€ 8,09
€ 4,045 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,045 | € 8,09 |
| 10 - 24 | € 3,655 | € 7,31 |
| 26 - 98 | € 3,466 | € 6,93 |
| 100 - 498 | € 2,779 | € 5,56 |
| 500+ | € 2,458 | € 4,92 |
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Type de canal
Type N
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120A
Tension Drain Source maximum Vds
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Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
10.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
172nC
Tension directe Vf
1.3V
Température de fonctionnement maximum
175°C
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
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