Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 058,01
€ 1,058 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 1 058,01
€ 1,058 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
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1000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 1,058 | € 1 058,01 |
| 2000+ | € 1,043 | € 1 042,93 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
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650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
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