MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 12 A Enrichissement 600 V, 3 broches STB18N60DM2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
290mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
9.35mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 12,43
€ 2,486 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,486 | € 12,43 |
| 10 - 95 | € 2,115 | € 10,58 |
| 100 - 495 | € 1,659 | € 8,30 |
| 500+ | € 1,40 | € 7,00 |
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Type N
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TO-263
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
290mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
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Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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