Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
13A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
280mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
21.5nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 16,52
€ 1,61 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 16,52
€ 1,61 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,61 | € 8,05 |
| 250 - 495 | € 1,573 | € 7,86 |
| 500+ | € 1,471 | € 7,36 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
13A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M2
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
280mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
21.5nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit