Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
13A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-263
Série
STB
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
280mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
16.8nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.37mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 248,27
€ 1,248 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 1 248,27
€ 1,248 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
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1000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 1,248 | € 1 248,27 |
| 2000+ | € 1,232 | € 1 232,03 |
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STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
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13A
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Type de Boitier
TO-263
Série
STB
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
280mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
16.8nC
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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10.4mm
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