Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
295mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température minimum d'utilisation
-65°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,06
€ 4,06 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 4,06
€ 4,06 Each (hors TVA)
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,06 |
| 10 - 99 | € 2,70 |
| 100 - 499 | € 2,11 |
| 500 - 999 | € 2,09 |
| 1000+ | € 2,05 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
295mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température minimum d'utilisation
-65°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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No
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