Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
295mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 27,03
€ 2,70 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 27,03
€ 2,70 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 2,70 |
| 100 - 499 | € 2,11 |
| 500 - 999 | € 2,09 |
| 1000+ | € 2,05 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
295mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit