Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET de puissance MDmesh II
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.19Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-25, +25V
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 32,28
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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10
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N
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Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
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Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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