Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET de puissance MDmesh II
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.19Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 32,02
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 32,02
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET de puissance MDmesh II
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.19Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
45nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit