Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK 35 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type d'emballage
DPKZ
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
115 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.4mm
Largeur
9.35mm
Série
STripFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.6mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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N
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
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115 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
Température d'utilisation maximum
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