Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
35A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
115W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,77
€ 1,106 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 17,77
€ 1,106 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,106 | € 5,53 |
| 250 - 495 | € 0,844 | € 4,22 |
| 500+ | € 0,755 | € 3,78 |
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MOSFET
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TO-263
Série
STripFET II
Type de montage
En surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
115W
Température d'utilisation minimum
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
4.6mm
Longueur
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