MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

75mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

38nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

9.35mm

Standard automobile

No