Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
200V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
75mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
38nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 59,75
€ 2,149 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 59,75
€ 2,149 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,149 | € 10,74 |
| 125+ | € 1,761 | € 8,80 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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200V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
75mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
38nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
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Longueur
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Hauteur
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No
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