Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
28A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-263
Série
STB37N60
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
94mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
210W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
15.85mm
Normes/homologations
AEC-Q101
Largeur
10.4mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM2. Il offre une très faible charge de récupération (QRR) et un temps (TRR) combinés à un faible RDS(on), ce qui le rend adapté pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants et idéal pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 833,96
€ 3,834 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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25V
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
4.6mm
Longueur
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Normes/homologations
AEC-Q101
Largeur
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