Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M5
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
95mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
71nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,56
€ 3,56 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
€ 10,56
€ 3,56 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
2
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 3,56 |
| 100 - 999 | € 3,36 |
| 1000+ | € 3,33 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh M5
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
95mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
71nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit