Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
200V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
75nC
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 36,82
€ 3,588 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 36,82
€ 3,588 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,588 | € 7,18 |
| 100 - 198 | € 3,506 | € 7,01 |
| 200+ | € 3,278 | € 6,56 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
200V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
75nC
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit