MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 35 A Enrichissement 710 V, 3 broches STB45N65M5
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
35A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-263
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
78mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
82nC
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
210W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température de fonctionnement maximale
150°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,07
€ 6,07 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 6,07
€ 6,07 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
35A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-263
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
78mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
82nC
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
210W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température de fonctionnement maximale
150°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.