MOSFET de puissance SuperMESH canal N STMicroelectronics 4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SuperMESH

Brand

Type du produit

MOSFET de puissance SuperMESH

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-263

Série

SuperMESH

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18.8nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

JEDEC JESD97

Largeur

9.35mm

Standard automobile

No