MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 55 A Enrichissement 60 V, 3 broches STB55NF06LT4
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-263
Séries
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
95W
Tension maximale de source de la grille Vgs
16 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
27nC
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Longueur
10.75mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,82
€ 1,765 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 8,82
€ 1,765 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,765 | € 8,82 |
| 10+ | € 1,677 | € 8,39 |
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Séries
STripFET II
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
95W
Tension maximale de source de la grille Vgs
16 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
27nC
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
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No
Longueur
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No
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