MOSFET N STMicroelectronics 42 A 710 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh M5

N° de stock RS: 783-2977Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB57N65M5
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Documents techniques

Spécifications

Type du produit

MOSFET

Typ kanálu

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

42A

Tension Drain Source maximum Vds

710V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh M5

Typ montáže

Surface

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum Rds

63mΩ

Mode de canal

Enhancement

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

98nC

Tension directe Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

60°C

Höhe

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Automobilový standard

No

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics

Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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QuantitéPrix unitaire
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Surface

Nombre de broche

3

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Mode de canal

Enhancement

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250W

Température minimum de fonctionnement

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No

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No

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