MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II AEC-Q101

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET II

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

14mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

35nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-15, +15V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

9.35mm

Standard automobile

AEC-Q101