MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-263 60 A Enrichissement 60 V, 3 broches STB60NF06LT4
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
14mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
15 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
35nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,97
€ 1,994 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 9,97
€ 1,994 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,994 | € 9,97 |
| 25 - 45 | € 1,893 | € 9,46 |
| 50 - 120 | € 1,703 | € 8,51 |
| 125 - 245 | € 1,531 | € 7,65 |
| 250+ | € 1,457 | € 7,29 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
14mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
15 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
35nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
9.35 mm
Hauteur
4.6mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.