Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
14mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
35nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 55,68
€ 1,812 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 55,68
€ 1,812 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,812 | € 9,06 |
| 250 - 495 | € 1,381 | € 6,90 |
| 500+ | € 1,225 | € 6,12 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
14mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
35nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
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