MOSFET canal N STMicroelectronics 5.8 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh, SuperMESH

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

5.8A

Tension Drain Source maximum Vds

900V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

140W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

9.35mm

Standard automobile

No