Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
75A
Tension Drain Source maximum Vds
75V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET II
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
11mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
75nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3,86
€ 1,932 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
2
€ 3,86
€ 1,932 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,932 | € 3,86 |
| 20 - 98 | € 1,868 | € 3,74 |
| 100 - 198 | € 1,81 | € 3,62 |
| 200+ | € 1,566 | € 3,13 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
75A
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75V
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TO-263
Série
STripFET II
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
11mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
75nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
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