Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
5.2A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.8Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-30, +30V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
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€ 17,07
€ 3,415 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 17,07
€ 3,415 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,415 | € 17,08 |
| 50 - 120 | € 2,945 | € 14,72 |
| 125+ | € 2,309 | € 11,54 |
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MOSFET
Type de canal
N
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5.2A
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800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.8Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-30, +30V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
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