Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.2A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.8Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 16,83
€ 3,367 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 16,83
€ 3,367 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,367 | € 16,83 |
| 10 - 95 | € 2,853 | € 14,26 |
| 100 - 495 | € 2,237 | € 11,18 |
| 500 - 995 | € 1,898 | € 9,49 |
| 1000+ | € 1,566 | € 7,83 |
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Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.2A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.8Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Longueur
10.75mm
Hauteur
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No
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