Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.2A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.8Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 34,13
€ 2,943 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 34,13
€ 2,943 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,943 | € 14,72 |
| 125+ | € 2,307 | € 11,54 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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TO-263
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.8Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
40nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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10.75mm
Hauteur
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No
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